casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSBC123JPDXV6T1G
codice articolo del costruttore | NSBC123JPDXV6T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSBC123JPDXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSBC123JPDXV6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 500mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBC123JPDXV6T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSBC123JPDXV6T1G-FT |
DMC261000R
Panasonic Electronic Components
DMC261030R
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DMC261060R
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DMG263010R
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DMA261040R
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DMA261060R
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DMA261090R
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DMA2610F0R
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DMA2610M0R
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DMC2610E0R
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XC6SLX75-2FGG484C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896A
Microsemi Corporation
EPF6016ATC100-2N
Intel
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP20E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2U19A7N
Intel
10AX066K2F40E1SG
Intel
10AX115N1F40E1SG
Intel
10CL120ZF780I8G
Intel
EPF10K30AQC208-2
Intel