casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / DMA2610M0R
codice articolo del costruttore | DMA2610M0R |
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Numero di parte futuro | FT-DMA2610M0R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMA2610M0R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini5-G3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMA2610M0R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMA2610M0R-FT |
DMC964050R
Panasonic Electronic Components
DMC964070R
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DME914C10R
Panasonic Electronic Components
DMG964010R
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DMG964020R
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DMG964030R
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DMG964040R
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DMG964050R
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DMG9640M0R
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DMG9640N0R
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AT6002ALV-4AC
Microchip Technology
EP1K50TC144-3
Intel
LFXP3E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEB5R2F43I3LN
Intel
XC7K410T-3FBG900E
Xilinx Inc.
XC7A75T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F1508C5N
Intel