casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / NSVMMUN2212LT1G
ON Semiconductor NSVMMUN2212LT1G
- Numero parte MFG
- NSVMMUN2212LT1G
- quantità disponibile
- 67010 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.056232
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
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- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- - TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- NSVMMUN2212LT1G.pdf
NSVMMUN2212LT1G specificazioni
| codice articolo del costruttore | NSVMMUN2212LT1G |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-NSVMMUN2212LT1G |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| NSVMMUN2212LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 246mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NSVMMUN2212LT1G Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | NSVMMUN2212LT1G-FT |
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