casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NS8MT-E3/45
codice articolo del costruttore | NS8MT-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-NS8MT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NS8MT-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NS8MT-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NS8MT-E3/45-FT |
MCL4148-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL4151-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL4151-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL4154-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL4154-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MCL4448-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS385-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS385-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE50PAJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V4PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel