casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NRVBM120LT3G
codice articolo del costruttore | NRVBM120LT3G |
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Numero di parte futuro | FT-NRVBM120LT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWERMITE® |
NRVBM120LT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 10V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-216AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powermite |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVBM120LT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NRVBM120LT3G-FT |
MBRM140T3G
ON Semiconductor
MBRM120LT1G
ON Semiconductor
MBRM140T1G
ON Semiconductor
NRVBM110ET1G
ON Semiconductor
MBRM110LT1G
ON Semiconductor
STPS120M
STMicroelectronics
NRVBM120ET3G
ON Semiconductor
NRVHPM120T3G
ON Semiconductor
STPS1L40M
STMicroelectronics
UPS5819E3TR7
Microsemi Corporation
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel