casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NRVBM110ET1G
codice articolo del costruttore | NRVBM110ET1G |
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Numero di parte futuro | FT-NRVBM110ET1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POWERMITE® |
NRVBM110ET1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 10V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 595mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 10V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-216AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powermite |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVBM110ET1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NRVBM110ET1G-FT |
MA2J11400L
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MA2J1140GL
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MA2J11500L
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MA2J1150GL
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MA2J11600L
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MA2J1160GL
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