casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / NRVBA160T3G
codice articolo del costruttore | NRVBA160T3G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NRVBA160T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NRVBA160T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 510mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVBA160T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NRVBA160T3G-FT |
MURD530T4G
ON Semiconductor
NHPD660T4G
ON Semiconductor
NRVBD360VT4G
ON Semiconductor
NRVUD320VT4G
ON Semiconductor
NRVUD550PFT4G-VF01
ON Semiconductor
SBRD8320T4G-VF01
ON Semiconductor
SBRD8835LT4G
ON Semiconductor
MBRD360RLG
ON Semiconductor
MBRD360G
ON Semiconductor
SBRD8835LG-VF01
ON Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel