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ON Semiconductor NHPD660T4G

Numero parte MFG
NHPD660T4G
quantità disponibile
91790 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.2996
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Data di spedizione
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
NHPD660T4G.pdf
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NHPD660T4G specificazioni

codice articolo del costruttore NHPD660T4G
Numero di parte futuro FT-NHPD660T4G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NHPD660T4G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Corrente: media rettificata (Io) 6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 3V @ 6A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 30µA @ 600V
Capacità @ Vr, F -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK
Temperatura operativa - Giunzione -65°C ~ 175°C
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NHPD660T4G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NHPD660T4G-FT

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