codice articolo del costruttore | DSA17G |
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Numero di parte futuro | FT-DSA17G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSA17G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.7A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 1.7A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSA17G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSA17G-FT |
MUR120RLG
ON Semiconductor
1N4002G
ON Semiconductor
1N4934G
ON Semiconductor
1N4005G
ON Semiconductor
MUR105RLG
ON Semiconductor
1N4003G
ON Semiconductor
1N4933G
ON Semiconductor
1N5819RLG
ON Semiconductor
MBR150RLG
ON Semiconductor
MBR160RLG
ON Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel