casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / NM27C256V90
codice articolo del costruttore | NM27C256V90 |
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Numero di parte futuro | FT-NM27C256V90 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NM27C256V90 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EPROM |
Tecnologia | EPROM - OTP |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 90ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 32-LCC (J-Lead) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-PLCC (14x11.46) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM27C256V90 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NM27C256V90-FT |
N25Q512A83G12A0F
Micron Technology Inc.
N25Q512A83G12H0F
Micron Technology Inc.
N25Q512A83GSFA0F TR
Micron Technology Inc.
N25QH32A13EV7A0
Micron Technology Inc.
N25W032A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25W032A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25W064A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25W064A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25W128A11EF740E
Micron Technology Inc.
N25W128A11EF740F TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel