casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / N25Q512A83GSFA0F TR
codice articolo del costruttore | N25Q512A83GSFA0F TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-N25Q512A83GSFA0F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
N25Q512A83GSFA0F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 512Mb (128M x 4) |
Frequenza di clock | 108MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q512A83GSFA0F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | N25Q512A83GSFA0F TR-FT |
N25Q008A11ESC40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q008A11ESC40FS01 TR
Micron Technology Inc.
N25Q008A11ESC40FS02 TR
Micron Technology Inc.
N25Q008A11ESC40FS03 TR
Micron Technology Inc.
N25Q008A11ESC40G
Micron Technology Inc.
N25Q00AA13G1240F TR
Micron Technology Inc.
N25Q00AA13G1241E
Micron Technology Inc.
N25Q00AA13G1241F TR
Micron Technology Inc.
N25Q016A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q016A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel