casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / NM27C256QE120
codice articolo del costruttore | NM27C256QE120 |
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Numero di parte futuro | FT-NM27C256QE120 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NM27C256QE120 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EPROM |
Tecnologia | EPROM - UV |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 120ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-CDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM27C256QE120 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NM27C256QE120-FT |
N25Q256A33EF840F
Micron Technology Inc.
N25Q256A73ESF40G TR
Micron Technology Inc.
N25Q256A81ESF40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q256A81ESF40G
Micron Technology Inc.
N25Q256A83ESF40E
Micron Technology Inc.
N25Q512A11G1240F TR
Micron Technology Inc.
N25Q512A13GF840F TR
Micron Technology Inc.
N25Q512A83G12A0F
Micron Technology Inc.
N25Q512A83G12H0F
Micron Technology Inc.
N25Q512A83GSFA0F TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel