casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NJVMJD112T4G
codice articolo del costruttore | NJVMJD112T4G |
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Numero di parte futuro | FT-NJVMJD112T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NJVMJD112T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Potenza - Max | 20W |
Frequenza - Transizione | 25MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVMJD112T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NJVMJD112T4G-FT |
SBC847CWT1G
ON Semiconductor
SMMBT3906WT1G
ON Semiconductor
BC846BWT1G
ON Semiconductor
SMMBTA06WT1G
ON Semiconductor
BC807-40WT1G
ON Semiconductor
NSVBC817-40WT1G
ON Semiconductor
NSVBC857CWT1G
ON Semiconductor
SMMBTA56WT1G
ON Semiconductor
BC847BWT1G
ON Semiconductor
MMBT2222AWT1G
ON Semiconductor
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
A1020B-PL68I
Microsemi Corporation
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3LG
Intel
EP4SGX110FF35C4N
Intel