casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NJVMJD112T4G
codice articolo del costruttore | NJVMJD112T4G |
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Numero di parte futuro | FT-NJVMJD112T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NJVMJD112T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Potenza - Max | 20W |
Frequenza - Transizione | 25MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVMJD112T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NJVMJD112T4G-FT |
SBC847CWT1G
ON Semiconductor
SMMBT3906WT1G
ON Semiconductor
BC846BWT1G
ON Semiconductor
SMMBTA06WT1G
ON Semiconductor
BC807-40WT1G
ON Semiconductor
NSVBC817-40WT1G
ON Semiconductor
NSVBC857CWT1G
ON Semiconductor
SMMBTA56WT1G
ON Semiconductor
BC847BWT1G
ON Semiconductor
MMBT2222AWT1G
ON Semiconductor
XC6SLX9-3TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
XC2VP40-6FG676I
Xilinx Inc.
XC4003E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
5CGXFC5C7F27C8N
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel
10AX115N3F40I2LG
Intel