casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / SMMBT3906WT1G
codice articolo del costruttore | SMMBT3906WT1G |
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Numero di parte futuro | FT-SMMBT3906WT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SMMBT3906WT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-3 (SOT323) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMMBT3906WT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SMMBT3906WT1G-FT |
2SB1124T-TD-H
ON Semiconductor
2SD1624T-TD-H
ON Semiconductor
2SA2016-TD-E
ON Semiconductor
2SC3647T-TD-E
ON Semiconductor
2SA1416T-TD-E
ON Semiconductor
2SA2012-TD-E
ON Semiconductor
2SA2125-TD-H
ON Semiconductor
2SB1124S-TD-E
ON Semiconductor
2SC5569-TD-E
ON Semiconductor
2SD1624S-TD-H
ON Semiconductor
XC4013E-2BG225I
Xilinx Inc.
XC3S200-4PQ208C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
A1020B-1PLG68I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C3N
Intel
5SGXMA5H2F35C1N
Intel
LFE3-17EA-7LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel
EPF10K100ARC240-3N
Intel