casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / NJVMJB45H11T4G
codice articolo del costruttore | NJVMJB45H11T4G |
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Numero di parte futuro | FT-NJVMJB45H11T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NJVMJB45H11T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 40MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NJVMJB45H11T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NJVMJB45H11T4G-FT |
MJD44H11T5G
ON Semiconductor
MJD47T4G
ON Semiconductor
NJVNJD1718T4G
ON Semiconductor
NJVMJD32CG
ON Semiconductor
MJD42CRLG
ON Semiconductor
MJD44H11RLG
ON Semiconductor
MJD31CG
ON Semiconductor
MJD253T4G
ON Semiconductor
MJD31T4G
ON Semiconductor
NJVMJD117T4G
ON Semiconductor
XC3S200-4TQ144I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
LFE5UM-45F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
XA6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC1E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I4N
Intel