casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MJD253T4G
codice articolo del costruttore | MJD253T4G |
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Numero di parte futuro | FT-MJD253T4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MJD253T4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 200mA, 1V |
Potenza - Max | 1.4W |
Frequenza - Transizione | 40MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD253T4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MJD253T4G-FT |
MMBT3904WT1
ON Semiconductor
MMBT3906WT1
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MMBT4401WT1
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MMBTA06WT1
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MMBTA56WT1
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MSB1218A-RT1
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MSB92ASWT1
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MSD42SWT1
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MSD42WT1
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XC3S2000-5FGG900C
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XC2S15-6VQ100C
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XCS10-3VQ100C
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M2GL025-1FCSG325
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XC7S100-2FGGA484I
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A3P600-1FGG484
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EP1S25F780I6N
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EP20K400BC652-1
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