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ON Semiconductor NIF9N05CLT1G

Name: NIF9N05CLT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: NIF9N05CLT1G
Availability: InStock
Rating: 4.5 (632 reviews)

Numero parte MFG: NIF9N05CLT1G

quantità disponibile: 84500 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: NIF9N05CLT1G.pdf

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NIF9N05CLT1G specificazioni

codice articolo del costruttore	NIF9N05CLT1G
Numero di parte futuro	FT-NIF9N05CLT1G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
NIF9N05CLT1G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	59V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 35V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.69W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-223
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NIF9N05CLT1G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	NIF9N05CLT1G-FT

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