casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / NHP620MFDT3G
codice articolo del costruttore | NHP620MFDT3G |
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Numero di parte futuro | FT-NHP620MFDT3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NHP620MFDT3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NHP620MFDT3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NHP620MFDT3G-FT |
NRVBD1035CTLT4G
ON Semiconductor
NRVBD640CTG-VF01
ON Semiconductor
NRVBD650CTT4G-VF01
ON Semiconductor
NRVBD660CTRLG-VF01
ON Semiconductor
SBRD81035CTLG-VF01
ON Semiconductor
SBRV640VCTT4G
ON Semiconductor
SBRV660VCTT4G
ON Semiconductor
SSRD8620CTRG-VF01
ON Semiconductor
MBRD1035CTL
ON Semiconductor
MBRD1035CTLT4
ON Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel