casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SR1503HB0G
codice articolo del costruttore | SR1503HB0G |
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Numero di parte futuro | FT-SR1503HB0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SR1503HB0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | R6, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | R-6 |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR1503HB0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SR1503HB0G-FT |
SFT14G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT14G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT14GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT14GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT14GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT15G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT15G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT15G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT15GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT15GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel