casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / NE85630-R25-A
codice articolo del costruttore | NE85630-R25-A |
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Numero di parte futuro | FT-NE85630-R25-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE85630-R25-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 4.5GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Guadagno | 9dB |
Potenza - Max | 150mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 7mA, 3V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85630-R25-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NE85630-R25-A-FT |
AT-41533-TR1G
Broadcom Limited
AT-41533-TR2G
Broadcom Limited
BF 770A E6327
Infineon Technologies
BF 775 E6327
Infineon Technologies
BF799E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFR 181 E6780
Infineon Technologies
BFR 182 B6663
Infineon Technologies
BFS 17P E6433
Infineon Technologies
BFT92E6327
Infineon Technologies
KSC2755OMTF
ON Semiconductor
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
10M50DCF256I7G
Intel
A1020B-PLG44C
Microsemi Corporation
XC7S6-1CSGA225I
Xilinx Inc.
XA7S50-1CSGA324I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4LN
Intel
EPF10K100ARC240-2
Intel