casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BF 775 E6327
codice articolo del costruttore | BF 775 E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BF 775 E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BF 775 E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Frequenza - Transizione | 5GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Guadagno | 10.5dB ~ 16dB |
Potenza - Max | 280mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 15mA, 8V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 45mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BF 775 E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BF 775 E6327-FT |
BFG480W,115
NXP USA Inc.
BFG480W,135
NXP USA Inc.
BFG540W/X,115
NXP USA Inc.
BFG540W/XR,135
NXP USA Inc.
BFP 405 H6433
Infineon Technologies
BFP 640 H6433
Infineon Technologies
BFP182WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BFP183WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BFP193WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BFP196WE6327HTSA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C7
Intel
XC4028XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF8282ALC84-4N
Intel