codice articolo del costruttore | NDS331N |
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Numero di parte futuro | FT-NDS331N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDS331N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 162pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SuperSOT-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDS331N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDS331N-FT |
SI1417EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1417EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1419DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1422DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1424EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1426DH-T1-E3
Vishay Siliconix
SI1426DH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1427EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1428EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1433DH-T1-E3
Vishay Siliconix
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.