casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SI1417EDH-T1-E3
codice articolo del costruttore | SI1417EDH-T1-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-SI1417EDH-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI1417EDH-T1-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-6 (SOT-363) |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1417EDH-T1-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SI1417EDH-T1-E3-FT |
TK17E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
DMNH10H028SCT
Diodes Incorporated
DMNH6008SCTQ
Diodes Incorporated
DMG4N60SCT
Diodes Incorporated
DMG9N65CT
Diodes Incorporated
DMTH6010SCT
Diodes Incorporated
DMNH6008SCT
Diodes Incorporated
DMT6004SCT
Diodes Incorporated
DMTH4005SCT
Diodes Incorporated
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel