casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NDF10N60ZH
codice articolo del costruttore | NDF10N60ZH |
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Numero di parte futuro | FT-NDF10N60ZH |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDF10N60ZH Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1645pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 39W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220FP |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDF10N60ZH Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDF10N60ZH-FT |
IRFI520G
Vishay Siliconix
IRFI530G
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M2GL025T-1VFG256I
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