casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFI540G
codice articolo del costruttore | IRFI540G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRFI540G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFI540G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 48W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI540G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFI540G-FT |
RCX120N20
Rohm Semiconductor
RCX330N25
Rohm Semiconductor
IRFI730GPBF
Vishay Siliconix
IRLI540G
Vishay Siliconix
IRLI540GPBF
Vishay Siliconix
R6012ANX
Rohm Semiconductor
TK10A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
IRFI820GPBF
Vishay Siliconix
IRFI840GLCPBF
Vishay Siliconix
IRFI9610GPBF
Vishay Siliconix
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel