casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / NDD56PT6-2AIT
codice articolo del costruttore | NDD56PT6-2AIT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-NDD56PT6-2AIT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDD56PT6-2AIT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 700ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.3V ~ 2.7V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 66-TSOP II |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDD56PT6-2AIT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDD56PT6-2AIT-FT |
IDT71V35761YSA166BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA166BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA166BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA183BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA183BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA183BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA183BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA200BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA200BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA200BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG320I
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4N
Intel
XC4020XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F29I7N
Intel
EPF10K30AQC240-3
Intel