casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / NDD56PT6-2AIT
codice articolo del costruttore | NDD56PT6-2AIT |
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Numero di parte futuro | FT-NDD56PT6-2AIT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDD56PT6-2AIT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 700ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.3V ~ 2.7V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 66-TSOP II |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDD56PT6-2AIT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDD56PT6-2AIT-FT |
IDT71V35761YSA166BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA166BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA166BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA183BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA183BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA183BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA183BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA200BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA200BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA200BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel