casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IDT71V35761YSA200BQ8
codice articolo del costruttore | IDT71V35761YSA200BQ8 |
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Numero di parte futuro | FT-IDT71V35761YSA200BQ8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT71V35761YSA200BQ8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 4.5Mb (128K x 36) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.1ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-CABGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT71V35761YSA200BQ8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDT71V35761YSA200BQ8-FT |
IDT71V3557SA80BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA80BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA80BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA80BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA80BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA80BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V3557SA85BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel