casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / NDD36PT6-2AIT
codice articolo del costruttore | NDD36PT6-2AIT |
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Numero di parte futuro | FT-NDD36PT6-2AIT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NDD36PT6-2AIT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Dimensione della memoria | 256Mb (16M x 16) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 700ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.3V ~ 2.7V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 66-TSOP II |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDD36PT6-2AIT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NDD36PT6-2AIT-FT |
IDT71V35761YSA166BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA166BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA166BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA166BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA183BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA183BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA183BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA183BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA200BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V35761YSA200BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation