casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / NAND512W3A2SNXE
codice articolo del costruttore | NAND512W3A2SNXE |
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Numero di parte futuro | FT-NAND512W3A2SNXE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NAND512W3A2SNXE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 50ns |
Tempo di accesso | 50ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND512W3A2SNXE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NAND512W3A2SNXE-FT |
MT29F2G08ABCWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABDWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABDWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16AABWP TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16AABWP-ET TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16AADWP-ET:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16AADWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAWP-IT:A
Micron Technology Inc.