casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2G08ABDWP:D
codice articolo del costruttore | MT29F2G08ABDWP:D |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F2G08ABDWP:D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABDWP:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP I |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABDWP:D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F2G08ABDWP:D-FT |
M29W800DT70N1
Micron Technology Inc.
M29W800DT70N6
Micron Technology Inc.
M29W800DT70N6E
Micron Technology Inc.
M29W800DT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W800DT90N1
Micron Technology Inc.
M29W800FB70N3F TR
Micron Technology Inc.
MT28F400B3WG-8 B
Micron Technology Inc.
MT28F400B3WG-8 B TR
Micron Technology Inc.
MT28F400B3WG-8 BET
Micron Technology Inc.
MT28F400B3WG-8 BET TR
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation