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Micron Technology Inc. NAND04GW3B2DN6E

Numero parte MFG
NAND04GW3B2DN6E
quantità disponibile
98200 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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Data di spedizione
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fabbricante
Micron Technology Inc.
Breve descrizione
- IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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NAND04GW3B2DN6E specificazioni

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Numero di parte futuro FT-NAND04GW3B2DN6E
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NAND04GW3B2DN6E Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo di memoria Non-Volatile
Formato di memoria FLASH
Tecnologia FLASH - NAND
Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8)
Frequenza di clock -
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 25ns
Tempo di accesso 25ns
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 2.7V ~ 3.6V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 48-TSOP
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NAND04GW3B2DN6E Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NAND04GW3B2DN6E-FT

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