casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A TR
codice articolo del costruttore | MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 256Gb (32G x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP I |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F256G08CJAAAWP-ITZ:A TR-FT |
M29W400DT70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400FB55N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W640FB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640FT70N6E
Micron Technology Inc.
M29W640GB70NA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GB90NA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GH70NA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GH70NA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GL70NA6E
Micron Technology Inc.
M29W800DB45N6E
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel