casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MXLSMBJ12A
codice articolo del costruttore | MXLSMBJ12A |
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Numero di parte futuro | FT-MXLSMBJ12A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MXLSMBJ12A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 12V |
Voltage - Breakdown (Min) | 13.3V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 19.9V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 30.2A |
Potenza - Peak Pulse | 600W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMBJ (DO-214AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MXLSMBJ12A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MXLSMBJ12A-FT |
MSMBJ110AE3
Microsemi Corporation
MSMBJ110CA
Microsemi Corporation
MSMBJ110CAE3
Microsemi Corporation
MSMBJ11AE3
Microsemi Corporation
MSMBJ11CAE3
Microsemi Corporation
MSMBJ120AE3
Microsemi Corporation
MSMBJ120CA
Microsemi Corporation
MSMBJ120CAE3
Microsemi Corporation
MSMBJ130A
Microsemi Corporation
MSMBJ130AE3
Microsemi Corporation
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel