casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MSMBJ120AE3
codice articolo del costruttore | MSMBJ120AE3 |
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Numero di parte futuro | FT-MSMBJ120AE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ120AE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 120V |
Voltage - Breakdown (Min) | 133V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 193V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 3.1A |
Potenza - Peak Pulse | 600W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMBJ (DO-214AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ120AE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSMBJ120AE3-FT |
MASMBJ36AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ36CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ40A
Microsemi Corporation
MASMBJ40AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ40CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ43A
Microsemi Corporation
MASMBJ43AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ43CA
Microsemi Corporation
MASMBJ43CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ45A
Microsemi Corporation
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F27C8N
Intel
5SGSMD6K3F40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFV900I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation