casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MX25R8035FBEIHH
codice articolo del costruttore | MX25R8035FBEIHH |
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Numero di parte futuro | FT-MX25R8035FBEIHH |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
MX25R8035FBEIHH Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | - |
Formato di memoria | - |
Tecnologia | - |
Dimensione della memoria | - |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX25R8035FBEIHH Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MX25R8035FBEIHH-FT |
LE25S20XATAG
ON Semiconductor
CAV25512HU5E-GT3
ON Semiconductor
DS28E11P+
Maxim Integrated
N93C66BT3ETAG
ON Semiconductor
DS28E11P+T
Maxim Integrated
DS2431GB+T
Maxim Integrated
DS28E15G+T
Maxim Integrated
LE24LA162CB-TE-F-H
ON Semiconductor
DS28E05GB+T
Maxim Integrated
DS28E25+
Maxim Integrated
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel