casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS28E25+
codice articolo del costruttore | DS28E25+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS28E25+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepCover® |
DS28E25+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 4Kb (4K x 1) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 2µs |
Interfaccia di memoria | 1-Wire® |
Tensione - Fornitura | 2.97V ~ 3.63V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E25+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS28E25+-FT |
AS6C4016A-55ZIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55ZINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024C-12TJIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-12TJCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024C-12TJINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-12TJCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-15TJIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-15TJINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-20TJIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-20TJINTR
Alliance Memory, Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel