casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MX25L12835EZNI-10G
codice articolo del costruttore | MX25L12835EZNI-10G |
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Numero di parte futuro | FT-MX25L12835EZNI-10G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MX25xxx35/36 - MXSMIO™ |
MX25L12835EZNI-10G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8) |
Frequenza di clock | 104MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 300µs, 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WSON (8x6) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX25L12835EZNI-10G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MX25L12835EZNI-10G-FT |
DS1220Y-100+
Maxim Integrated
DS1220Y-100IND+
Maxim Integrated
DS1220Y-150+
Maxim Integrated
DS1220Y-200+
Maxim Integrated
DS1220Y-200IND+
Maxim Integrated
DS2431G+T&R
Maxim Integrated
DS2431GA+T&R
Maxim Integrated
DS28E25G+T
Maxim Integrated
DS2502G+U
Maxim Integrated
DS24B33G+T&R
Maxim Integrated
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel