casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS1220Y-100+
codice articolo del costruttore | DS1220Y-100+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS1220Y-100+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1220Y-100+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-EDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1220Y-100+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1220Y-100+-FT |
24AA512T-I/ST14
Microchip Technology
24FC512T-I/ST14
Microchip Technology
24LC512-E/ST14
Microchip Technology
24LC512T-E/ST14
Microchip Technology
24LC128T-I/ST14
Microchip Technology
DS25LV02R+T&R
Maxim Integrated
DS2502R+T&R
Maxim Integrated
DS28E05R+T
Maxim Integrated
DS2502R+00B
Maxim Integrated
DS2502R-00C+T&R
Maxim Integrated
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
EP4S100G2F40I1N
Intel
5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel