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ON Semiconductor MVB50P03HDLT4G

Name: MVB50P03HDLT4G
Brand: ON Semiconductor
SKU: MVB50P03HDLT4G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (260 reviews)

Numero parte MFG: MVB50P03HDLT4G

quantità disponibile: 19610 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101 INTEGRATED CIRCUIT

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: MVB50P03HDLT4G.pdf

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MVB50P03HDLT4G specificazioni

codice articolo del costruttore	MVB50P03HDLT4G
Numero di parte futuro	FT-MVB50P03HDLT4G
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101
MVB50P03HDLT4G Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 5V
Vgs (massimo)	±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4.9nF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK-3
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MVB50P03HDLT4G Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	MVB50P03HDLT4G-FT

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