casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / MVB50P03HDLT4G
codice articolo del costruttore | MVB50P03HDLT4G |
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Numero di parte futuro | FT-MVB50P03HDLT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MVB50P03HDLT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 25A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±15V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4.9nF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK-3 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MVB50P03HDLT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MVB50P03HDLT4G-FT |
JANSR2N7262U
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JANSR2N7268U
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JANSR2N7269
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JANSR2N7269U
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JANSR2N7380
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JANTX2N6758
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