casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / JANSR2N7389
codice articolo del costruttore | JANSR2N7389 |
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Numero di parte futuro | FT-JANSR2N7389 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/630 |
JANSR2N7389 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 12V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 6.5A, 12V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 12V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-205AF (TO-39) |
Pacchetto / caso | TO-205AF Metal Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANSR2N7389 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANSR2N7389-FT |
IXTM10P60
IXYS
IXTM11N80
IXYS
IXTM11P50
IXYS
IXTM12N100
IXYS
IXTM1316
IXYS
IXTM15N60
IXYS
IXTM1630
IXYS
IXTM1712
IXYS
IXTM21N50L
IXYS
IXTM24N50L
IXYS
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel