casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURTA600120R
codice articolo del costruttore | MURTA600120R |
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Numero di parte futuro | FT-MURTA600120R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURTA600120R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 300A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURTA600120R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURTA600120R-FT |
MSRT100160(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT10060(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT10080(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT150100(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT150120(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT150140(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT150160(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT15060(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT15080(A)D
GeneSiC Semiconductor
MSRT200100(A)D
GeneSiC Semiconductor
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel