casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURTA30060R
codice articolo del costruttore | MURTA30060R |
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Numero di parte futuro | FT-MURTA30060R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURTA30060R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 150A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 150A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURTA30060R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURTA30060R-FT |
MBRT60020
GeneSiC Semiconductor
MBRT600200
GeneSiC Semiconductor
MBRT60020R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60030
GeneSiC Semiconductor
MBRT60030R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60035
GeneSiC Semiconductor
MBRT60035R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60040
GeneSiC Semiconductor
MBRT60040R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60045
GeneSiC Semiconductor
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel