casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURTA30060R
codice articolo del costruttore | MURTA30060R |
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Numero di parte futuro | FT-MURTA30060R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURTA30060R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 150A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 150A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURTA30060R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURTA30060R-FT |
MBRT60020
GeneSiC Semiconductor
MBRT600200
GeneSiC Semiconductor
MBRT60020R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60030
GeneSiC Semiconductor
MBRT60030R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60035
GeneSiC Semiconductor
MBRT60035R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60040
GeneSiC Semiconductor
MBRT60040R
GeneSiC Semiconductor
MBRT60045
GeneSiC Semiconductor
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel