casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURT20020R
codice articolo del costruttore | MURT20020R |
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Numero di parte futuro | FT-MURT20020R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURT20020R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT20020R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURT20020R-FT |
MBRT400150R
GeneSiC Semiconductor
MBRT40020
GeneSiC Semiconductor
MBRT400200
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MBRT40020R
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MBRT40030R
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MBRT40035
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MBRT40040
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XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
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5SGXMA7H3F35C4
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EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel