casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRT400150R
codice articolo del costruttore | MBRT400150R |
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Numero di parte futuro | FT-MBRT400150R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRT400150R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 200A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT400150R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRT400150R-FT |
GB10SLT12-247D
GeneSiC Semiconductor
MBRT20040
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MURT40040R
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MSRT150120(A)
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MSRT150140(A)
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LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
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10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K200EQI208-3
Intel