casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MURS120-M3/5BT
codice articolo del costruttore | MURS120-M3/5BT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MURS120-M3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURS120-M3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURS120-M3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURS120-M3/5BT-FT |
VS-10BQ060-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ060HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ100-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10BQ100HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EGH02HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EGH06-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EGU06-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EGU06WHM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-4EGH06-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRS1100-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation