casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MURS120-E3/52T
codice articolo del costruttore | MURS120-E3/52T |
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Numero di parte futuro | FT-MURS120-E3/52T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURS120-E3/52T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURS120-E3/52T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURS120-E3/52T-FT |
SS1H9HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS22SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS23SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS23SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3J_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS24SHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25SHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel