casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURHB860CT
codice articolo del costruttore | MURHB860CT |
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Numero di parte futuro | FT-MURHB860CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MEGAHERTZ™ |
MURHB860CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.8V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURHB860CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURHB860CT-FT |
MBRD1035CTLG
ON Semiconductor
MBRD1035CTLT4G
ON Semiconductor
NRVBD650CTG-VF01
ON Semiconductor
NRVSRD620VCTT4RG
ON Semiconductor
NRVSRD620VCTT4G
ON Semiconductor
SNRVUD620CTT4G
ON Semiconductor
NRVBD1035CTLT4G
ON Semiconductor
NRVBD640CTG-VF01
ON Semiconductor
NRVBD650CTT4G-VF01
ON Semiconductor
NRVBD660CTRLG-VF01
ON Semiconductor
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel