casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRD1035CTLT4G
codice articolo del costruttore | MBRD1035CTLT4G |
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Numero di parte futuro | FT-MBRD1035CTLT4G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SWITCHMODE™ |
MBRD1035CTLT4G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 470mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 35V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRD1035CTLT4G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRD1035CTLT4G-FT |
MBD54DWT1
ON Semiconductor
NSR15DW1T1
ON Semiconductor
NSR15DW1T1G
ON Semiconductor
NSR15SDW1T1
ON Semiconductor
NSR15SDW1T1G
ON Semiconductor
NSR15SDW1T2G
ON Semiconductor
NSR15TW1T2
ON Semiconductor
NSR15TW1T2G
ON Semiconductor
BAV99RWT1G
ON Semiconductor
NSVBAV99WT3G
ON Semiconductor
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel