casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MMBD717LT1
codice articolo del costruttore | MMBD717LT1 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBD717LT1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MMBD717LT1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 370mV @ 1mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 10V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-3 (SOT323) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBD717LT1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBD717LT1-FT |
NSVM1MA152WAT1G
ON Semiconductor
SBAT54SLT1G
ON Semiconductor
SBAV99LT1G
ON Semiconductor
MMBD2836LT1G
ON Semiconductor
SBAV199LT3G
ON Semiconductor
BAT54CLT3G
ON Semiconductor
BAV23CLT1G
ON Semiconductor
BAV74LT1G
ON Semiconductor
SBAS70-04LT1G
ON Semiconductor
NSVM1MA152WKT1G
ON Semiconductor
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
Intel
5SGXEA7K2F40I2N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel