casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRF20030R
codice articolo del costruttore | MBRF20030R |
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Numero di parte futuro | FT-MBRF20030R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRF20030R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 30V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-244AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-244AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF20030R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRF20030R-FT |
MBRTA60040L
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60040R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60040RL
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60045
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60045L
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60045R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60045RL
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60060
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60060R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA60080
GeneSiC Semiconductor
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel